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分子泵入口應裝設防護網(wǎng)，以避免異物進(jìn)入泵內損壞泵轉子和定子葉片。抽氣系統裝有單獨粗抽管路的渦輪分子泵抽氣系統的操作方法與擴散泵抽氣系統相似。在開(kāi)始粗抽以前，高真空閥和粗抽閥是關(guān)著(zhù)的，而前級管道閥是打開(kāi)的。首先關(guān)閉前級閥，啟動(dòng)粗抽泵（兼前級泵），打開(kāi)粗抽閥開(kāi)始對真空室進(jìn)行抽氣。在真空室內的壓力降到150~100Pa時(shí)關(guān)閉粗抽閥，打開(kāi)前級管道閥，再啟動(dòng)渦輪分子泵（需先接通冷卻系統）。
如果分子泵入口處裝有液氮冷阱，則應在泵加速到額定轉速后（一般需5~10min）加注液氮。1-渦輪分子泵；2-液氮冷阱；3-放氣閥；4-電離規；5-熱傳導規；6-粗抽閥；7-機械泵；8-前級管路閥；9-高真空閥。圖1 典型渦輪分子泵抽氣系統粗抽系統的配置隨真空室的容積大小而有所不同。對500L/s或更小的渦輪分子泵來(lái)說(shuō)，可采用一臺雙級旋片泵；1000L/s以上的渦輪分子泵則采用以機械泵為前級泵的羅茨泵機組。
在壓力為100到150Pa時(shí)關(guān)閉粗抽閥，把真空室切換到渦輪分子泵上。對某些泵，這樣做會(huì )引起輕微而滯后的瞬時(shí)減速，但這對抽氣并無(wú)影響。正如擴散泵抽氣系統那樣，渦輪分子泵系統中的很主要的物質(zhì)是水蒸氣，其臭氣時(shí)間將受液氮冷阱抽速的支配。如果不用液氮冷阱，那么這個(gè)系統抽除水蒸氣的速度就會(huì )比同樣抽速的無(wú)冷阱擴散泵略慢一些。
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分子泵的葉輪是高速旋轉的精密件，在分子泵運轉中，不允許固體雜物落到葉輪上,以避免損壞葉輪。也要防止大氣突然沖入正在運轉中的分子泵。因為這也有可能損壞葉輪，此外,分子泵運轉過(guò)程中,要遠離強磁場(chǎng)。結論改變氦質(zhì)譜檢漏儀的分子泵轉速，檢測信號值發(fā)生變化，儀器在運行時(shí)，分子泵轉速改變后，只要改變漏率信號的修正系數，無(wú)需再次定標，即可保證檢測漏率的準確性。
若儀器檢測信號時(shí)，信號值偏小，可以考慮降低儀器的分子泵轉速，來(lái)提高檢測信號值，提高儀器的檢測靈敏度。：渦輪分子泵應用于角分辨光電子能譜ARPES渦輪分子泵應用于角分辨光電子能譜ARPES。角分辨光電子能譜Angleresolvedphotoemissipectroscopy簡(jiǎn)稱(chēng)ARPES利用光電效應研究固體的電子結構.
光電子在真空飛行的過(guò)程中,被一個(gè)接受角度很小的能量分析器收集計數.角分辨光電子能譜主要由光源,電子分析器,樣品控制臺以及超高真空的獲得和維護系統組成.分子泵廣泛配套在真空系統已保證超高真空的獲得,同時(shí)搭配殘余氣體分析儀PrismaPlus共同使用.
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通用的沉積技術(shù)有化學(xué)氣相淀積（CVD）、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來(lái)說(shuō)，其中還要夾雜低溫（≤500℃）退火工藝等熱處理工藝，用以增進(jìn)金屬層和半導體之間的低電阻接觸、消除內應力等。設備運行過(guò)程中需要高潔凈的真空環(huán)境，一般采用以磁懸浮分子泵為主的無(wú)油真空系統。
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程?？涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形?，F代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空系統，同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢測和控制裝置?？涛g應用工況復雜，清潔性差，充入特種氣體種類(lèi)繁多，因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。
離子注入設備：離子注入是指在真空環(huán)境下，當離子束射向固體材料時(shí)，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并很終停留在固體材料中的現象。離子注入是半導體表面附近區域進(jìn)行摻雜的主要技術(shù)，其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類(lèi)型。離子注入機是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設備，需要高清潔的真空環(huán)境，以保證離子摻雜濃度和劑量的準確性。
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